Snapdragon 8 Gen 3 parantaa selvästi laitteilla toimivaa tekoälyä

Qualcomm julkisti Snapdragon 8 Gen 3 -piirin eli seuraavan sukupolven tehopiirin Android-lippulaivapuhelimiin.

4 nanometrin prosessilla valmistettu piiri hyödyntää 1+5+2-kokoonpanoa. Yksi tehokkain ydin toimii jopa 3,3 gigahertsin taajuudella. Viisi muuta tehoydintä toimivat jopa 3,2 Ghz:n taajuudella ja kaksi säästöydintä pyörivät 2.3 GHz:n nopeudella.

Edeltäjään eli Snapdragon 8 Gen 2 -piiriin verratessa Qualcomm lupaa jopa 30 prosenttia parempaa suorituskykyä ja se on 20 prosenttia energiatehokkaampi.

Grafiikan osalta luvataan 25 prosentin parannus sekä suorituskykyyn että energiatehokkuuteen.

Merkittävin parannus on toteutettu tekoälyyn. Qualcomm Hexagon NPU on Snapdragon 8 Gen 3:ssa jopa 98 prosenttia nopeampi.

Tämän ansiosta tekoäly toimii suoraan laitteessa tehokkaammin. Stable Diffusionilla Snapdragon 8 Gen 3 voi luoda kuvia jopa sekunnissa, kun edeltäjällä siihen kuluu noin 15 sekuntia.

Laitteessa toimiva tekoäly voi myös esimerkiksi laajentaa kuvia eli kuvaa voi loitontaa ja kuvan ympärillä oleva tyhjä tila täytetään tekoälyn tuotoksella. Videoista voi puolestaan poistaa esimerkiksi taustalla olevia ihmisiä.

Snapdragon 8 Gen 3 -piirillä varustettuja puhelimia on luvassa pian.

Samalla Qualcomm julkisti Snapdragon Summit -tapahtumassaan Snapdragon X Elite -järjestelmäpiirin ja Snapdragon Seamless -teknologian.

Näistä jälkimmäinen on tekniikka, jonka avulla eri käyttöjärjestelmiä käyttävät Android-, Windows- ja Snapdragon-laitteet voivat löytää toisensa ja jakaa tietoja toimiakseen yhtenä yhtenäisenä järjestelmänä.

Esimerkiksi hiiri ja näppäimistö toimivat saumattomasti esimerkiksi tietokoneen, puhelimen ja tabletin välillä. Snapdragon Seamlessin avulla esimerkiksi tiedostoja voi raahata ja pudottaa tietokoneelta puhelimelle.

Snapdragon Seamlessia tukevat Snapdragon 8 Gen 3 ja Snapdragon X Elite. Tekniikkaa tullaan hyödyntämään eri laitteissa jo tämän vuoden aikana muun muassa Microsoftin, Androidin, Xiaomin, Honorin ja Lenovon toimesta.

Snapdragon X Elite on tietokoneisiin tarkoitettu tehokas piiri, jota laitevalmistajat tulevat hyödyntämään laitteissaan vuoden 2024 puolivälissä.

4 nanometrin prosessilla valmistettu piiri päihittää Qualcommin mukaan Applen M2 -piirin.